Датчики индуктивные с дискретным выходом XECRO (IPSD) Inductive sensor Для получения более подробной информации, в том числе для формирования цены, отправьте нам запрос Диаметр | Ø3 mm | Ø3 mm | Ø3 mm | Ø3 mm | Дистанция срабатывания | 0.6 mm | 0.6 mm | 1.0 mm | 1.0 mm | Монтаж | В потай | В потай | В потай | В потай | Рабочее напряжение | 10…30 VDC | 10…30 VDC | 10…30 VDC | 10…30 VDC | Потребляемый ток | < 8 mA | < 8 mA | < 8 mA | < 8 mA | Токовая нагрузка | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | Падение напряжения | < 1.5 V @ 200 mA | < 1.5 V @ 200 mA | < 1.5 V @ 200 mA | < 1.5 V @ 200 mA | Частота переключений | 2000 Hz | 2000 Hz | 1000 Hz | 1000 Hz | Гистерезис | 3…15 % | 3…15 % | 3…15 % | 3…15 % | Рабочая температура | -25…75 °C | -25…75 °C | -25…75 °C | -25…75 °C | Класс защиты | IP67 | IP67 | IP67 | IP67 | Артикулы | PNP - NO, 3-wire | IPSD3-S08PO25/A2P | IPSD3-S08PO25/3P8 | IPSD3-S1PO25/A2P | IPSD3-S1PO25/3P8 | PNP - NC, 3-wire | IPSD3-S08PC25/A2P | IPSD3-S08PC25/3P8 | IPSD3-S1PC25/A2P | IPSD3-S1PC25/3P8 | NPN - NO, 3-wire | IPSD3-S08NO25/A2P | IPSD3-S08NO25/3P8 | IPSD3-S1NO25/A2P | IPSD3-S1NO25/3P8 | NPN - NC, 3-wire | IPSD3-S08NC25/A2P | IPSD3-S08NC25/3P8 | IPSD3-S1NC25/A2P | IPSD3-S1NC25/3P8 | | | | | | Диаметр | M4x0.5 | M4x0.5 | M4x0.5 | M4x0.5 | Дистанция срабатывания | 0.6 mm | 0.6 mm | 1.0 mm | 1.0 mm | Монтаж | В потай | В потай | В потай | В потай | Рабочее напряжение | 10…30 VDC | 10…30 VDC | 10…30 VDC | 10…30 VDC | Потребляемый ток | < 8 mA | < 8 mA | < 8 mA | < 8 mA | Токовая нагрузка | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA |
|